УДК 621.382.2.029.64

Особенности конструкции и технологии изготовления диодов Ганна из арсенида галлия, работающих на частотах выше 60 ГГц

Ковтонюк В. М., Иванов В. Н., Николаенко Ю. Е.

Ключевые слова: диод Ганна, арсенид галлия, инжекция горячих электронов, бигармонический режим.

Разработаны конструкция и перспективная технология изготовления диодов Ганна на эпитаксиальных структурах GaAs n–n+-типа с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Исследованы моногармонический и бигармонический режимы работы на частотах выше 60 ГГц. Достигнуто значение КПД 1,2% для генераторов, работающих в бигармоническом режиме на рабочей частоте 94 ГГц.

Украина, г. Киев, НИИ «Орион».