УДК 537.96;621.382

Кремниевые быстродействующие бескорпусные
p–i–n-диоды с балочными выводами

Болтовец Н. С., Басанец В. В., Голынная Т. И., Кривуца В. А.,
Суворова Л. М., Лычман К. А.

Ключевые слова: p-i-n-диод, технология мембранная, выводы балочные, линия передачи микрополосковая, линия передачи волноводно-щелевая.

В нас­то­ящей ра­бо­те пред­став­ле­ны ре­зуль­та­ты раз­ра­бот­ки и ис­сле­до­ва­ния крем­ни­евых быс­тро­дей­ству­ющих пе­ре­клю­ча­тель­ных p-i-n-дио­дов мил­ли­мет­ро­во­го диа­па­зо­на в бес­кор­пус­ном ис­пол­не­нии с ба­лоч­ны­ми вы­во­да­ми. Дио­ды из­го­тав­ли­ва­лись по мем­бран­ной тех­но­ло­гии и мо­гут при­ме­нять­ся в по­лос­ко­вых и вол­но­вод­но-ще­ле­вых ли­ни­ях пе­ре­дач на час­то­тах до 100 ГГц.

Украина, г. Киев, НИИ «Орион».

High speed Si uncased beam-lead p­i­n-diodes

Boltovets M. S., Basanets V. V., Golynna T. I., Kryvutsa V. A.,
Suvorova L. M., Lychman K. O.

Keywords: p-i-n-diode, diaphragm technology, beam-lead, microstrip transmission line, fin-line transmission line

The development and research results of Si high speed switch MM-wave beam-lead p-i-n-diodes are presented. Diodes were made on diaphragm technology and can be used in the microstrip and fin-line components up to 100 GHz.