УДК 621.315.592

Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов

Терлецкая Л. Л., Калиниченко Л. Ф., Голубцов В. В.

Проведен сравнительный анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных слоев n-GaAs и спектральных характеристик структур p⁺-Si—n-Si—p-Si—n⁺-GaAs. Слои GaAs выращивались на Si-подложках методом жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава. Установлено полное совпадение максимумов указанных спектров, что в сочетании с высокими энергетическими параметрами излучателя и фотоприемника подтверждает возможность создания интегрального оптрона на основе исследованных гетероструктур.

Украина, Одесский нац. ун-т им. И. И. Мечникова, Одесская нац. морская академия.

***

The structure on the base of silicon-gallium arsenide heterojunction for integral optrons

Terletskaya L. L., Kalinichenko L. F. Golubtsov V. V.

The comparative analysis of the photoluminescence spectra of the n-GaAs heteroepitaxial layers and spectral characteristics of the p⁺-Si—n-Si—p-Si—n⁺(GaAs)-structures are investigated. The n-GaAs layers on the Si-base were grown by the method of liquid-phase epitaxy. The complete correspondence of the maxima of these spectra were obtained. This fact with combination high energetically parameters of the light-emitter and photodetector proves the possibility of the creating of the integral optron on the base heterostructures, which were investigated.