УДК 621.315.592

Эффекты переключения и памяти
в МОП-структурах Al-SiO₂-Si

Искендер-заде З. А., Ахундов М. Р.,
Джафарова Э. А., Алиханова Ш. А.

Ключевые слова: МОП-структура, переключение, элемент памяти, пороговое напряжение, время задержки, глубокие ловушки.

Исследованием вольт-амперных характеристик и нестационарных переходных процессов выяснены механизмы эффектов переключения и памяти в Al-SiO₂-Si-структурах, возможность их практического применения в создании стабильных и управляемых элементов памяти.

Азербайджанский технический университет, Институт физики НАН Азербайджана, г. Баку.

***

Switching and memory effects in Al-SiO₂-Si MOS structures

Iskender-zade Z. A., Akhundov M. R.,
Jafarova E. A., Alikhanova Sh. A.

Complex of techniques: volt-ampere, nonstationary transient behaviour, are found out mechanisms of effect of switching and memory in Al-SiO₂-Si structures, an opportunity of their practical use in creation of stable and controlled switches and memory element.