УДК 621.391.882

Изменения низкочастотных шумов
в р-n-переходах при низких температурах

Головко А. Г.

Ключевые слова: низкочастотные шумы, р-n-переходы, низкие температуры.

Приведены результаты экспериментальных исследований диода на основе арсенида галлия в температурном диапазоне 78-300 К. Предлагается при разработке аппаратуры предварительно оценивать стабильность работы полупроводниковых датчиков в диапазоне пониженных температур на основе анализа генерационно-рекомбинационных процесов и френкелевской ионизации примесей.

Украина, г. Херсон, НПФ "Артур".

***

Temperature changes low-frequency noise in р-n-junctions at low temperatures

Golovko A. G.

The results of experimental researches of the diode on a basis of GaAs in a temperature range 78-300 K to are given. It is offered at development of the equipment previously to estimate stability of work of semiconductor quages in a range of the lowered temperatures on the basis of the analysis generation-recombination of processes and Frenkel ionization of impurity.