УДК 539.1.074

Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения

Абызов А. С., Ажажа В. М., Давыдов Л. Н.,
Ковтун Г. П., Кутний В. Е., Рыбка А. В.

Ключевые слова: детектор, γ-излучение, полупроводниковые соединения, ширина запрещенной зоны, подвижность, время жизни, атомный номер, удельное сопротивление, периодическая таблица элементов

Среди полупроводников, которые используются в спектрометрах и дозиметрах, ведущие позиции принадлежат широкозонным соединениям Cd_1-xZn_xTe, CdTe, HgI₂. Возникает вопрос, является ли этот выбор окончательным и оптимальным. В попытке ответить на него отобраны физические параметры, критичные для детектирующей способности детектора. Они включают, прежде всего, подвижность, время жизни, атомный номер и удельное сопротивление. На основе выбранных параметров проведен анализ бинарных соединений с тетраэдрической структурой.

Украина, ННЦ "Харьковский физико-технический институт".

***

Selection of semiconductor material for gamma-radiation detectors

A. S. Abyzov, V. M. Azhazha, L. N. Davydov,
G. P. Kovtun, V. E. Kutny, A. V. Rybka

Among the semiconductor crystals employed in spectrometers and dosimeters the leading positions belongs to the wide-gap compounds Cd_1-xZn_xTe, CdTe, HgI₂. The question arises whether it is the final and optimal choice. In an attempt to answer it, physical parameters, crucial for detector performance were selected. They include, first of all, mobility, lifetime, mean atomic number, and resistivity. An analysis of binary compounds with tetrahedral structure was done on the basis of the selected parameters.