УДК 621.382.2.029.64

Разработка конструкции и технологии изготовления диодов Ганна для КВЧ-терапии

Иванов В. Н., Ковтонюк В. М., Раевская Н. С.

Ключевые слова: КВЧ-терапия, диод Ганна, арсенид галлия.

Описаны конструкция и технология изготовления диодов Ганна для применения в КВЧ-терапии. Рабочая частота 42 ГГц, выходная мощность более 1 мВт при рабочем токе меньше 120 мА. Диоды изготовлены из эпитаксиальных структур GaAs типа n-n⁺. Толщина n-слоя 2,4-2,6 мкм, концентрация носителей (8...9)·10¹⁵ см^-3. В качестве катода применялся многослойный контакт Ge-Au-TiB₂-Au. Формирование омического контакта на поверхность n-слоя создает неоднородность, которая способствует зарождению в этом месте домена.

Украина, г. Киев, НИИ "Орион".

Development of design and technology of Gunn diodes for EHE-therapy

V. N. Ivanov, V. M. Kovtonjuk, N. S. Raevka

The article deals with design and technology of Gunn diodes production to be used for EHF-therapy. Operating frequency is 42 GHz, output power more than 1 mW at operating currency less than 120 mA. Diodes are made of GaAs epitaxial structures of n-n⁺ type.Thickness of n-layer is 2,4-2,6 mm, carrier density (8...9)·10¹⁵ cm^-3. As a cathode multilayer contact Ge-Au-TiB₂-Au is used, which was applied layer to layer on n-layer surface by magnetron sputtering method in argon atmosphere. Ohmic contact formation on n-layer surface sets up inhomogeneity that provides domen generation in this place.