УДК 621.315.592

Полупроводниковые гетеропереходы
оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения

Ковалюк З. Д., Катеринчук В. Н.

Ключевые слова: фотоплеохроизм, GaSe, ІnSe, гетеропереход

В широкой спектральной области исследовано явление фото­плеохроизма в гетеропереходах оксид-p-InSe и n+-In₂O₃-p-GaSe. Максимальные значения коэффициента фотоплеохроизма (в Іn₂O₃-GaSe он достигает 65%, а в оксид-ІnSe - 40%) получены для краевого поглощения света кристаллами, которое совпадает с длинами волн излучения соответственно красного рубинового (λ=0,6328 мкм) и инфракрасного неодимового (λ=1,06 мкм) лазеров. Исследованные гетеропереходы могут быть использованы для упрощения регистрации азимутальной ориентации плоскополяризованного света.

Украина, г. Черновцы, ЧО Ин-та проблем материаловедения им. И. Н. Францевича.

***

Oxide-InSe(GaSe) semicondactor heterojunctions for polarized radiation photoelectric analyzers

Kovalyuk Z. D., Katerynchuk V. M.

In oxide-p-InSe and n+-In₂O₃-p-GaSe heterojunctions the photopleochroism effect is investigated in a wide spectral range. Maximum values of the photopleochroism coefficient (in the Іn₂O₃-GaSe heterojunction it achieves 65% and in the oxide-ІnSe one it is 40%) are obtained for the edge absorption with the crystals. It coincides with the radiation wave-lengths of red ruby (λ=0,6328 mm) and infrared neodymium (λ=1,06 mm) lasers. A monotonous decrease of polarization photosensitivity takes place in a depth of the fundamental absorption band.