УДК 621.315.592.2: 534.2: 537.311.322

Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge

Олих Я. М., Лисюк И. А., Тимочко Н. Д.

Ключевые слова: ультразвуковое воздействие, изохронный отжиг, нейтронно легированный германий, радиационные дефекты

Предложена методика отжига полупроводников в условиях воздействия ультразвука (f=5÷10 МГц, W<10⁴ Вт/м²). На модельных образцах нейтронно легированного Ge (ГЭС-45, Ф_n≈10¹⁵ см^-2) проведен изохронный отжиг радиационных дефектов (Т_отж=90÷460°С, t=30 мин, ΔТ_отж=30°С). Представлены сравнительные результаты измерения электрофизических параметров (методом Холла в диапазоне Т=77÷300 К). Найдено, что механизм УЗ-воздействия сводится к ускорению диффузии точечных дефектов за счет снижения энергии активации и повышения концентрации неравновесных дефектов.

Украина, г. Киев, Институт физики полупроводников им. В. E. Лашкарёва

***

Acoustostimulated decrease the annealing temperature of radiation defects in the Ge crystals

Ja. M. Olikh, I. O. Lysiuk, M. D. Tymochko

An original annealing method of semiconductors in the terms in-situ an ultrasound influence (f=5÷10 МHz, W<10⁴ W/msup>2) is described. On the model samples of a neutron-transmutation Ge (Ф_n≈10¹⁵ cm^-2) the isochronal annealing of the radiation defects (Т_an=90÷460°С, t=30 min, ΔТ_an=30°С) is realized. The comparative results of measurements of electrical parameters (by Hall method in Т=77÷300 К range) are presented. It is finding that the US influence mechanism have been reduced to an acceleration of the point defects diffusion. It is argued that this is the result of the activation energy decrease and the increase of the non-equilibrium defects concentration.