УДК 621.383.52.8

Оптимизация геометрических характеристик
p-n-структур для оптоэлектроники

Викулин И. М., Ирха В. И., Коробицын Б. В., Горбачев В. Э.

Ключевые слова: светодиод, фотодиод, доводка, эффективность.

Обсуждается связь оптимальных геометрических характеристик и спектров электролюминесценции р-n-структур для их применения в качестве светоизлучающих диодов или фотоприемников. Рассмотрена возможность использования электролюминесценции р-n-структур для доводки их при изготовлении фотоприемников. Показано применение обнаруженных зависимостей на примере арсенидгаллиевых р-n-структур.

Украина, Одесская национальная академия связи им. А. С. Попова.

***

Optimization of the geometrical characteristics of р-n-structures for an optoelectronics

Vikulin I. М., Irkha V. I., Korobitsyn B. V., Gorbachev V. E.

The relations of the optimum geometrical characteristics of the р-n-structures for their usage as a light-emitting diodes or a photodetectors is considered. The possibility of using of an electroluminescence of р-n-structures for operational development them at manufacture of photodetectors is surveyed. The application of detected dependences for an example gallium arsenide р-n-structures is shown.