УДК 621.793.1

Формирование столбиковых выводов
для GaAs пиксельных детекторов

Беришвили З. В., Джангидзе Л. В., Схиладзе Г. Б., Мелкадзе Р. Г., Лежнева Т. М., Перадзе Г. Г.

Ключевые слова: гибридный детектор, флип-чип-технология, столбиковый вывод, арсенид галлия.

При изготовлении гибридных пиксельных детекторов ионизирующего излучения соединение сенсорной матрицы со считывающим устройством осуществляется с помощью столбиковых выводов по флип-чип-технологии. Разработан и исследован процесс формирования столбиковых выводов из Pb/Sn и In на сенсорных GaAs-матрицах. В качестве подстолбиковой металлизации предложена система TiW/Ag, осаждаемая методом магнетронного распыления. Приведены технологические режимы, последовательность операций и параметры полученных столбиков.

Грузия, Тбилисский гос. университет им. Ив. Джавахишвили.

***

Formation of bumps for GaAs pixel detectors

Z. V. Berishvili, L. V. Jangidze, G. A. Skhiladze,
R. G. Melkadze, T. M. Lezhneva, G. G. Peradze

In fabrication of hybrid pixel detectors of ionizing radiation a sensor matrix is connected to a readout device by means of bumps using the flip-chip technology. The present work deals with research and development of processes of Pb/Sn and In bump formation on sensor GaAs matrices designed for X-ray radiation detectors. The TiW/Ag system deposited by magnetron sputtering is proposed as under-bump metallization. Technological regimes, sequence of operations and parameters of the obtained bumps are given.