УДК 621.382.049

Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа

Рубцевич И. И., Ануфриев Л. П., Керенцев А. Ф.

Ключевые слова: MOSFET-транзистор, металлокерамический корпус, поверхностный монтаж, герметичность корпуса, тепловое сопротивление транзистора.

Исследованы процессы сборки MOSFET-транзисторов в металлокерамическом корпусе SMD-1 в сравнении с металлопластиковым корпусом SMD-220. Представлены результаты по электрическим и тепловым параметрам. Показано, что тепловое сопротивление "p-n-переход-корпус" выше для SMD-1, однако согласованность по ТКЛР элементов корпуса SMD-1 позволяет изготавливать приборы с минимальными внутренними напряжениями и обеспечивать их высокую герметичность и надежность в условиях воздействия перепадов температур более 300°С.

Республика Беларусь, г. Минск, Завод "Транзистор".

***

Investigation of MOSFET-transistors in different hermetic package types for surface mounting

I. I. Rubtsevitch, L. P. Anufriev, A. F. Kerentsev

The processes of MOSFET packaging in SMD-1 metaloceramic package versus SMD-220 metal-plastic package have been explored. The results on electrical and thermal parameters are set out. It is shown that thermal resistance p-n junction to case Rthjc is higher for SMD-1 due to a lower heat conduction of the chip carrier. However, the compliance of the SMD-1 elements in coefficient of thermal linear expansion allows to produce devices with minimal internal strains and to secure their high hermiticity and reliability when subject to temperature fluctuations over 300°С.