УДК 621.315.592

Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры

Гасанов А. М., Касимов Ф. Д., Лютфалибекова А. Э.

Ключевые слова: негатрон, МОП-структура, локальное давление, упругие механические напряжения, ширина запрещенной зоны.

Исследовано влияние локального анизотропного давления на кремниевую МОП-структуру. Показано, что повышение инверсной емкости связано не только с увеличением положительных носителей в окисле на границе раздела Si-SiO под влиянием локального давления, а вызвано также и уменьшением ширины запрещенной зоны полупроводника. Предложена негатронная схема, преобразующая давление в частоту.

Азербайджан, г. Баку, Азербайджанское национальное аэрокосмическое агентство.

***

The micronegatron transduer of pressure on the base of selicon MOS-structure

Gasanov A. M., Kasimov F. D., Lutfalibekova A. E.

The influence of local anisotrophic pressure on the silicon MOS-structure investigated. The negatron circuit of converting pressure in frequency for remote measurement is offered.