УДК 536.2:536.3

Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского

Ковтун Г. П., Кравченко А. И., Кондрик А. И., Щербань А. П.

Ключевые слова: арсенид галлия, монокристаллы, метод Чохральского, компьютерное моделирование, тепловое поле.

Применительно к методу Чохральского с жидкостной герметизацией расплава и с погруженным во флюс дополнительным нагревателем (д. н.) изучены зависимости температурного градиента G вблизи фронта кристаллизации в кристалле GaAs от мощности д. н., его удаленности от кристалла, а также от условий теплового экранирования кристалла и флюса при различном соотношении между тепловыми потоками через дно и стенку тигля. Показаны условия, при которых достигаются лучшие результаты (с учетом значений G и равномерности их радиального распределения).

Украина, ННЦ "Харьковский физико-технический институт".

***

The processes to improve the thermal mode of GaAs crystal growth by Czohralski method

Kovtun G. P., Kravchenko A. I., Kondrik A. I., Shcherban' A. P.

The liquid encapsulation Czohralski method for GaAs with auxiliary heater (AH) imbedded into the flux is shown. The dependences of temperature gradient near the crystallization front vs. AH-power as well as distance between AH and crystal are investigated. The conditions of heat screening at different heat flows through the bottom and wall of crucible are investigated too. The conditions under which the best results achieved are shown (with taking into account the values of G and uniformity of their radial distributions).