УДК 621.382.3

Малосигнальная модель транзистора в разработке СВЧ малошумящих усилителей

Емцев П. А.

Ключевые слова: транзистор с высокой подвижностью электронов, моделирование, определение параметров.

Приводится полуаналитическая методика определения параметров транзисторов с высокой подвижностью электронов, предусматривающая применение данных лишь об S-параметрах транзистора, измеренных в широком диапазоне частот. Даются основные сведения о декомпозиции модели. Приводится пример построения усилителя для проверки адекватности модели.

Украина, НТУУ "Киевский политехнический институт".

***

Small signal transistor model for microwave low noise amplifier development

Yemtsev P. A.

The semi-analytical methodic for high electron mobility transistor parameter extraction is presented. The methodic requires S-parameter data, measured in wide frequency range only. The fundamentals of model decomposition are presented. The example of amplifier design for model verification is given.