УДК 539.1.074

Моделирование свойств CdZnTe и параметров детекторов γ-излучения на его основе

Кондрик А. И.

Ключевые слова: детекторы, ионизирующие излучения, моделирование, полупроводники.

Методом компьютерного моделирования исследовано время жизни и подвижность носителей заряда, удельное сопротивление материала Cd_xZn_1-xTe:Cl с целью поиска такого сочетания этих свойств и мольной доли CdTe, чтобы получить максимальную эффективность сбора зарядов в детекторе γ-излучения на основе этого материала. В качестве исходного принят типичный примесный состав, не зависящий от способа получения. Показано, что исследованный материал должен быть неоднородным, и установлено приблизительное распределение его свойств в межэлектродном пространстве детектора.

Украина, ННЦ "Харьковский физико-технический институт".

***

The simulation of properties of CdZnTe and parameters of γ-ray detectors basing on it

Kondrik A. I.

Life-time and mobility of charge carriers, specific resistance of Cd_xZn_1-xTe:Cl material have been investigated by the computer simulation method with the purpose of determination such combination of these properties and mole fraction of CdTe to obtain the maximal charge collection efficiency in γ-ray detector basing on this material. The typical impurity content independent of obtaining method was chosen as initial that. It was shown that the investigated material has to be inhomogeneous one and its approximate properties distribution within interelectrode space of detector was found.