УДК 621.315.592

Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры
"окисел-InSe-окисел"

Ковалюк З. Д., Катеринчук В. Н., Сидор О. Н.

Ключевые слова: ІnSe, окисел, фототранзистор

Показана возможность изготовления фототранзистора n-p-n-типа на основе двойной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел". Усиление фототока в фототранзисторе осуществляется только для толщин исходных образцов, сравнимых с диффузионной длиной неосновных носителей заряда. Особенностью усиления является переход фототранзистора из высокоомного в низкоомное состояние при определенных напряжениях и уровне освещения. Чем выше уровень освещения, тем меньше напряжение перехода. Плотность токов через фототранзистор при таком переходе может достигать 60-100 мА/cм².

Украина, Черновицкое отделение Ин-та проблем материаловедения
им. И. Н. Францевича.

***

Investigations of the photoelectrical properties of symmetrical "oxide–InSe–oxide" heterojunctions

Kovalyuk Z. D., Katerynchuk V. M., Sydor O. N.

A possibility of n-p-n-type phototransistor fabrication on the base of "oxide–InSe–oxide" double heterostructure is showed. A phototransistor photocurrent amplification is realized only for the initial samples thicknesses comparable with the minority carrier diffusion length. A peculiarity of the amplification is a transition of phototransistor from high-resistance into low-resistance state at some levels of voltage and illumination. The higher is illumination level the lower becomes the transition voltage. The phototransistor currents density at such transition can achieve 60—100 mA/cm².