УДК 546.281'261

Получение и свойства пористого карбида кремния

Светличная Л. А., Московченко Н. Н., Серба П. В.

Ключевые слова: пористый карбид кремния, электрохимическое травление, морфология пористого слоя, размер пор, эпитаксиальный слой SiC.

Рассмотрены методы получения пористого карбида кремния, его свойства, влияние состава электролита, времени травления и плотности тока на морфологию пористого слоя, а также зависимость структуры пор от легирования подложки. Результаты сопоставлены с данными по пористому кремнию.

Россия, Таганрогский радиотехнический университет.

***

Reception and properties porous silicon carbid

Svetlichnaya L. A., Moskovchenko N. N., Serba P. V.

The methods of fabricating of the porous SIC, its properties, the etching time and current density dependence on the morphology of the porous layer, as well as the dependence of the doping degree on the pore structure are considered.