УДК 621.382.3

Формирование дельта-легированного водородом p-слоя
в природных и CVD-кристаллах алмаза

Алтухов А. А., Афанасьев М. С., Зяблюк К. Н.,
Митягин А. Ю., Талипов Н. Х., Чучева Г. В.

Ключевые слова: алмаз, гидрогенизация, СВЧ-транзисторы, барьеры Шоттки.

Предложен метод термообработки в водороде природных и выращенных методом CVD кристаллов алмаза, который может служить альтернативой общепринятому методу формирования H-слоя в СВЧ-плазме водорода как более простой и воспроизводимый. Установлена граница термической стабильности гидрированной алмазной поверхности. Показано, что алюминий, напыленный на гидрированную при термообработках в водороде алмазную поверхность, может служить в качестве затвора Шоттки в полевых СВЧ-транзисторах, изготовленных по технологии MESFET.

Россия, г. Москва, ПТЦ «УралАлмазИнвест»;
Военная академия ракетных войск стратегического назначения;
г. Фрязино, Филиал ИРЭ РАН им. В. А. Котельникова.