УДК 621.315.592

Нанокристаллы Si_1–xGe_x в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры

Дружинин А. А., Островский И. П., Ховерко Ю. Н., Ничкало С. И., Корецкий Р. Н.

Ключевые слова: нитевидные нанокристаллы, магнетосопротивление, сенсор.

Исследовано влияние магнитного поля на электрофизические свойства нитевидных нанокристаллов (НК) Si_1–xGe_x при низких температурах. Показано, что полевая зависимость сопротивления образцов, легированных до концентрации носителей, соответствующей диэлектрической стороне перехода «металл—диэлектрик», имеет линейный характер. Предложена концепция создания сенсоров на базе НК Si_1–xGe_x для одновременного измерения индукции магнитного поля и температуры.

Украина, г. Львов, Национальный университет "Львовская политехника"; Польша, г. Вроцлав, Международная лаборатория сильных магнитных полей и низких температур.