УДК 621.382.2

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического элек­три­чес­тва

Солодуха В. А., Турцевич А. С., Соловьёв Я. А., Рубцевич И. И., Керенцев А. Ф.

Ключевые слова: диод Шоттки, потенциальный барьер, разряд статического электричества.

Исследования диодов Шоттки с барьерной структурой на основе молибденовой пленки показали, что устойчивость структур к разрядам статического электричества зависит от параметров конструкции, а также от глубины охранного кольца. Установлено, что для по­вы­ше­ния надежности диодов Шоттки необходимо использовать структуры с рас­пре­де­ле­н­ным охранным кольцом, которое представляет собой матрицу ячеек р-типа. Это позволяет снизить напряженность электрического поля в критических зонах активной структуры за счет выравнивания потенциала по периметру охранного кольца и площади диода.

Республика Беларусь, г. Минск, ОАО «ИНТЕГРАЛ».