УДК 535.23:628.98:004.9:535-31:535.247

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью
в коротковолновой области УФ-спектра

Добровольский Ю. Г.

Ключевые слова: фотодиод, фосфид галлия, компьютерное моделирование, чувствительность.

Разработан алгоритм для компьютерного моделирования и анализа параметров, оп­ре­де­ля­ющих чувствительность фотодиодов с поверхностно-барьерной структурой на основе n⁺—n-GaP—SnO₂(F). Показано, что токовая монохроматическая чувствительность к излучению с дли­ной волны 250 нм у такой структуры может достигать 0,1—0,12 А/Вт.

Украина, г. Черновцы, НПФ «Тензор».