УДК 621.315.592+621.384.2

Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-ба­рь­ер­ных УФ-фотоприемников

Бобренко Ю. Н., Комащенко В. Н., Ярошенко Н. В., Ше­ре­ме­то­ва Г. И., Атдаев Б. С.

Ключевые слова: поверхностно-барьерные структуры, соединения A²B⁶, УФ-фотоприемник, спектральные характеристики, ВФХ, ВАХ.

Изучены спектральные, вольт-фарадные и вольт-амперные характеристики тонкопленочных по­верх­ност­но-барьерных структур на основе соединений A²B⁶ с разным распределением кон­цен­тра­ции носителей в области пространственного заряда, перспективных для ис­поль­зо­ва­ния в качестве ультрафиолетовых фотоприемников.

Украина, г. Киев, ИФП им. В. Е. Лашкарёва НАНУ.