УДК 621.382.3

Технология создания легированных бором слоев на алмазе

Зяблюк К. Н., Митягин А. Ю., Талипов Н. Х.,
Чучева Г. В., Духновский М. П., Хмельницкий Р. А.

Ключевые слова: алмаз, легирование бором, ионная имплантация, СВЧ-транзистор.

Исследовались природные кристаллы алмаза типа IIa и CVD алмазные пленки. Представлены электрофизические параметры структур, полученных при различных режимах ионной имплантации бора в кристалл и последующего отжига. Параметры кристаллов с высокой концентрацией примесного азота указывают на то, что их можно использовать для изготовления СВЧ полевых транзисторов, работающих при комнатной температуре. Алмазные CVD-пленки, легированные бором в процессе роста, также обладают требуемой для изготовления полевых транзисторов подвижностью носителей заряда, однако, вследствие высокой энергии активации бора, требуемая проводимость канала достигается при высокой рабочей температуре.

Россия, г. Фрязино, Фрязинский филиал ИРЭ им. академика В. А. Котельникова РАН; ФГПУ НПП «Исток»; г. Москва, Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН.