УДК 621.382: 535.376

Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром

Турцевич А. С., Рубцевич И. И., Соловьев Я. А.,
Васьков О. С., Кононенко В. К., Нисс В. С., Керенце А. Ф.

Ключевые слова: транзистор, тепловое сопротивление, релаксационный импеданс-спектрометр, посадка кристалла.

Исследованы дифференциальные профили распределения теплового сопротивления «переход — корпус» транзисторов КП723Г в зависимости от условий монтажа кристаллов в корпус. Спектры тепловых сопротивлений рассчитывались из анализа временной зависимости динамического теплового импеданса, полученной новым неразрушающим методом дифференциальной спектроскопии. Представлена зависимость внутреннего теплового сопротивления компонентов транзисторной структуры от постоянной времени тепловой релаксации.

Республика Беларусь, г. Минск, ОАО «ИНТЕГРАЛ», БНТУ.