http://dx.doi.org/10.15222/TKEA2015.1.33

УДК 538.91

Исследование удельного сопротивления омических кон­так­тов
Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов

Басанец В. В., Слепокуров В. С., Шинкаренко В. В., Кудрик Р. Я., Кудрик Я. Я.

Ключевые слова: удельное сопротивление, омический контакт, лавинно-пролетный диод, термополевая эмиссия.

Исследовано удельное сопротивление омического контакта Au—Ti—Pd—n-Si и механизм токопереноса в интервале температур 100—360 К. Предложен способ уменьшения погрешности определения удельного контактного сопротивления на основе анализа статистических зависимостей измеренных величин. Измеренные значения удельного контактного сопротивления лежат в диапазоне (0,9—2)•10–5 Ом•см2. При использовании температурной зависимости удельного контактного сопротивления установлено, что в омическом контакте с высотой барьера 0,22 эВ в температурном диапазоне 100—200 К преобладает полевой механизм токопереноса, в диапазоне 200—360 К — термополевой с энергией активации примерно 0,08 эВ.

Украина, г. Киев, НИИ «Орион», Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ; Львовський национальный университет имени Ивана Франко.