http://dx.doi.org/10.15222/TKEA2015.1.38

УДК (621.382.3: 546.28): 537.852

Статистический анализ и оптимизация параметров тех­нологии изготовления биполярного транзистора с изоли­рованным затвором

Баранов В. В., Боровик А. М., Ловшенко И. Ю.,
Стемпицкий В. Р., Чан Туан Чунг, Шелибак Ибрагим

Ключевые слова: биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ), технологический процесс, конструкция, оптимизация, частотные и статические характеристики, отсеивающий эксперимент.

Реализована процедура оптимизации порогового напряжения биполярного транзистора с изолированным затвором. Посредством проведения отсеивающего эксперимента выявлены наиболее значимые входные параметры. Проведены экспериментальные исследования с использованием метода поверхности откликов для определения разброса значений выходной характеристики посредством анализа в цикле Монте-Карло, а также расчета допустимых отклонений входных параметров, в наибольшей степени влияющих на пороговое напряжение.

Республика Беларусь, г. Минск, Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники.