|
При цитировании статей из журнала "ТКЭА" его описание на латинице должно быть представлено транслитерацией, а именно: "Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature".
|
|
"ТКЭА" № 5'2012
- Электронные средства: исследования, разработки
-
Многоуровневые платы с толстопленочной полимерной изоляцией.
Спирин В. Г. (3)
-
-
Светодиодные показывающие электроизмерительные устройства на многопороговых компараторах.
Оборский Г. А., Ковальков В. И., Тихенко В. Н., Слободяник П. Т. (8)
-
Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом.
Ермоленко Е. А., Бондаренко А. Ф., Баранов А. Н. (14)
- Сенсоэлектроника
-
Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры.
Дружинин А. А., Островский И. П., Ховерко Ю. Н., Ничкало С. И., Корецкий Р. Н. (19)
- Функциональная микро- и наноэлектроника
-
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества.
Солодуха В. А., Турцевич А. С., Соловьёв Я. А., Рубцевич И. И., Керенцев А. Ф. (22)
-
-
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si.
Семенов А. В., Козловский А. А., Пузиков В. М. (27)
-
Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра.
Добровольский Ю. Г. (31)
-
-
Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников.
Бобренко Ю. Н., Комащенко В. Н., Ярошенко Н. В., Шереметова Г. И., Атдаев Б. С.
- Технологические процессы и оборудование
-
Технология создания легированных бором слоев на алмазе.
Зяблюк К. Н., Митягин А. Ю., Талипов Н. Х., Чучева Г. В., Духновский М. П., Хмельницкий Р. А. (39)
-
-
Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов
релаксационным импеданс-спектрометром.
Турцевич А. С., Рубцевич И. И., Соловьев Я. А., Васьков О. С., Кононенко В. К., Нисс В. С., Керенце А. Ф. (44)
-
-
Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем.
Дранчук С. Н., Завадский В. А., Мокрицкий В. А. (48)
|
